Фотоэлектрический датчик Sick WT34-B410

Принцип датчика/ обнаружения: Датчик с отражением от объекта, Подавление заднего фона
Размеры (Ш x В x Г): 27 mm x 92 mm x 70 mm
Форма корпуса (выход света): Прямоугольный
Дистанция работы, макс.: 100 mm ... 2.500 mm
Расстояние срабатывания: 100 mm ... 2.500 mm
Вид излучения: Инфракрасный свет
ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ: Светодиод
Размеры светового пятна (расстояние): Ø 80 mm (2.500 mm)
Настройка: Потенциометр
Напряжение питания: 10 V DC ... 30 V DC
Остаточная пульсация: < 5 Vss
Потребление тока: 50 mA
Переключающий выход: NPN, PNP,
Тип переключения: СВЕТЛО, ТЕМНО,
Тип переключения по выбору: Выбирается, через переключатель PNP/NPN, Выбирается, через переключатель СВЕТЛО/ТЕМНО (L/D)
Выходной ток Iмакс.: 100 mA
Оценка: ≤ 500 µs
Частота переключения: 1.000 Hz
Вид подключения: Разъем M12, 4-конт.
Схемы защиты: A , C , D ,
Класс защиты: II
Вес: 140 g
Материал корпуса: Пластик, ABS
Тип защиты: IP67
Тестовый вход, передатчик выкл.: TE после 0 В
Диапазон температур при работе: –40 °C ... +60 °C
Диапазон температур при хранении: –40 °C ... +75 °C
№ файла UL: NRKH.E181493 & NRKH7.E181493
MTTFD: 790 лет
DCavg: 0%
Тип выхода: PNP / NPN
Вид излучения: инфракрасный свет
Серия: W34